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深圳市首禾科技有限公司
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相关产品
产品信息
- IRF1407PBF标准包装 50
- FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
- FET特点 Standard
- 漏极至源极电压（VDSS） 75V
- 电流-连续漏极（编号）@ 25°C 130A
- IRF1407PBFRds（）@ ID，VGS 7.8 mOhm @ 78A, 10V
- VGS（TH）（）@ Id 4V @ 250μA
- 栅极电荷（Qg）@ VGS 250nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）@ Vds的 5600pF @ 25V
- 功率 - 330W
- 安装类型 Through Hole
- 包/盒 TO-220-3
- 供应商器件封装 TO-220AB
- 包装材料 Tube
- 包装 3TO-220AB
- 通道模式 Enhancement
- IRF1407PBF漏源电压 80 V
- 连续漏极电流 130 A
- RDS -于 7.8@10V mOhm
- 门源电压 ±20 V
- 典型导通延迟时间 11 ns
- 典型关闭延迟时间 150 ns
- 典型下降时间 140 ns
- 工作温度 -55 to 175 °C
- 安装 Through Hole
- 标准包装 Rail / Tube
- 门源电压 ±20
- 欧盟RoHS指令 Compliant
- 工作温度 175
- 标准包装名称 TO-220
- 工作温度 -55
- 渠道类型 N
- 漏源电阻 7.8@10V
- 漏源电压 80
- 每个芯片的元件数 1
- 供应商封装形式 TO-220AB
- 功率耗散 330000
- 连续漏极电流 130
- IRF1407PBF引脚数 3
- 铅形状 Through Hole
- FET特点 Standard
- 封装 Tube
- 安装类型 Through Hole
- 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 130A (Tc)
- 的Vgs（th ） （）@ Id 4V @ 250μA
- 漏极至源极电压（Vdss） 75V
- 供应商设备封装 TO-220AB
- 开态Rds（）@ Id ，V GS 7.8 mOhm @ 78A, 10V
- FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 330W
- 输入电容（Ciss ） @ VDS 5600pF @ 25V
- 其他名称 *IRF1407PBF
- 闸电荷（Qg ） @ VGS 250nC @ 10V
- 封装/外壳 TO-220-3
- RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
- 工厂包装数量 50
- 晶体管极性 N-Channel
- 源极击穿电压 20 V
- 连续漏极电流 130 A
- 安装风格 Through Hole
- 功率耗散 330 W
- 封装/外壳 TO-220AB
- 漏源击穿电压 75 V
深圳市首禾科技有限公司是从事电子元器件代理配套服务的品牌公司，也是目前深圳较大规模的原装IR（国际整流器公司）、VISHAY（威世）、ST（意法半导体）、FAIRCHILD（仙童）、ON（安森美半导体）、TI（德州仪器）、TOSHIBA（东芝半导体）、CET（台湾华瑞）等品牌产品的供应商之一。
