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深圳市首禾科技有限公司
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产品信息
- IRLR024NTRPBF标准包装 2,000
- FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
- FET特点 Logic Level Gate
- 漏极至源极电压（VDSS） 55V
- 电流-连续漏极（编号）@ 25°C 17A
- Rds（）@ ID，VGS 65 mOhm @ 10A, 10V
- VGS（TH）（）@ Id 2V @ 250μA
- 栅极电荷（Qg）@ VGS 15nC @ 5V
- 输入电容（Ciss）@ Vds的 480pF @ 25V
- 功率 - 45W
- 安装类型 Surface Mount
- 包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商器件封装 D-Pak
- 包装材料 Tape & Reel (TR)
- IRLR024NTRPBF包装 3DPAK
- 通道模式 Enhancement
- 漏源电压 55 V
- 连续漏极电流 17 A
- RDS -于 65@10V mOhm
- 门源电压 ±16 V
- 典型导通延迟时间 7.1 ns
- IRLR024NTRPBF典型上升时间 74 ns
- 典型关闭延迟时间 20 ns
- 典型下降时间 29 ns
- 工作温度 -55 to 175 °C
- 安装 Surface Mount
- 标准包装 Tape & Reel
- FET特点 Logic Level Gate
- 封装 Tape & Reel (TR)
- 安装类型 Surface Mount
- 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 17A (Tc)
- 的Vgs（th ） （）@ Id 2V @ 250μA
- 漏极至源极电压（Vdss） 55V
- 供应商设备封装 D-Pak
- 开态Rds（）@ Id ，V GS 65 mOhm @ 10A, 10V
- FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 45W
- 输入电容（Ciss ） @ VDS 480pF @ 25V
- 其他名称 IRLR024NPBFTR
- 闸电荷（Qg ） @ VGS 15nC @ 5V
- 封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
- IRLR024NTRPBF工厂包装数量 2000
- 配置 Single
- 晶体管极性 N-Channel
- 源极击穿电压 16 V
- 连续漏极电流 17 A
- 安装风格 SMD/SMT
- RDS（ON） 110 mOhms
- 功率耗散 38 W
- 工作温度 - 55 C
